|
☰ Все разделы → Комплектующие 11 Память для компьютера - CL 11 в городе Хабаровск➤ Есть скидки по промокоду sidex250: популярные 11 Память для компьютера — купить в городе Хабаровск и других городах России по скидочной цене, без предоплаты, в наличии 1786 шт. Категория: Комплектующие. Доставка в Хабаровск, Москва и другие города России. Перед покупкой воспользуйтесь подбором по параметрам, читайте отзывы, смотрите характеристики. В наличии 1786 шт:
Kingston (KVR16N11/8) объемом 8 Гб типа DDR3 позволит увеличить производительность Вашего компьютера.
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16LS11/8 - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Corsair CMSO8GX3M1C1600C11 - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Оперативная память от производителя Kingston (KVR16S11/8) типа DDR3, объемом 8 Гб, позволит Вам увеличить производительность ПК.
Corsair CMX16GX3M2A1600C11 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
1 модуль памяти, DDR3L SO-DIMM, 8Гб, 1600МГц, CL11.
Crucial CT102464BF160B - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Crucial CT102464BD160B - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16E11S8/4 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Kingston HX318LC11FBK2/16 - DDR3L 1866 DIMM 240 pin, 2x8 Гб, 1.35 В, CL 11
Crucial CT51264BF160BJ - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Transcend TS1GLK72V6H - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Patriot Memory PSD38G1600L2S - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Qumo DDR3 1600 DIMM 8Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц
Patriot Memory PSD32G16002 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16LS11/4 - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16LE11L/8 - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Оперативная память Qumo DDR3L 1600 SO-DIMM 4Gb - DDR3L 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin, 1x4 ГБ, 1.35 В, CL 11
1 модуль памяти, DDR3 SO-DIMM, 8Гб, 1600МГц, CL11.
Transcend TS1GLK72W6H - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Transcend TS512MLK72W6H - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Corsair CMSA8GX3M1A1600C11 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16R11D4/16 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 16 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Transcend TS1GSK64V6H - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Transcend TS1GLK64V6H - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Patriot Memory PSD38G16002S - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Qumo DDR3 1600 DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 9
Transcend JM1600KLN-4G - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
AMD AE34G1601U1-UO - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16LR11D4/16 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 16 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16LR11D4/8 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Kingston (KVR16N11S8/4) объемом 4 Гб типа DDR3 предназначена для настольных компьютеров, позволит увеличить производительность Вашего компьютера.
Kingston KVR16S11S8/4 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16LN11/4 - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16S11S6/2 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
AMD R534G1601U1S-UO - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16N11H/8 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Память компьютерная, 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Transcend TS512MSK64V6H - DDR3 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin, 1x4 Гб, 1.5 В, CL 11
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Patriot Memory PSD34G160081S - DDR3 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin, 1x4 Гб, 1.5 В, CL 11
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11.
1 модуль памяти 4Гб, DDR3L, SODIMM, 1600МГц.
1 модуль памяти, объем 8Гб, тип DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11.
Оперативная память Qumo QUM3U-8G1600C11L - DDR3L 1600 (PC 12800) DIMM 240 pin, 1x8 ГБ, 1.35 В, CL 11
1 модуль памяти, DDR3 SODIMM, 4Гб, частота 1600МГц.
Модуль памяти DDR3 DIMM, объем 4GB, частота 1600MHz, CL11.
1 модуль памяти DDR3 DIMM, 16Гб, частота 1600MHz, ECC Registered, CL11.
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11.
Память SO-DIMM DDR3, объем 8Gb, частота 1600МГц, CL 11.
1 модуль памяти, DDR3 SO-DIMM, 4Гб, 1600МГц, CL11.
1 модуль памяти, DDR3L DIMM, 16Гб, 1600MHz, ECC Registered, CL11.
Модуль памяти (оперативная память) объемом 4 Гб типа DDR3 от производителя Kingston (KVR16N11/4) предназначена для настольных компьютеров, позволит вам увеличить производительность компьютера.
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Transcend TS1GLK64W6H - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Transcend TS512MLK72V6N - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Transcend TS1GSK64W6H - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Transcend TS512MSK64W6H - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Corsair CMX4GX3M1A1600C11 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16R11D4/8 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
HP 672631-B21 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 16 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Transcend TS256MLK64V6N - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Transcend TS512MLK64V6N - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Transcend TS1GKR72V6H - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 11
Transcend TS512MSK64V6N - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Transcend TS256MSK64V6N - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Transcend TS256MSK64W6N - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Transcend TS256MSK64W6N-I - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Transcend TS512MSK64W6N - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16LN11/8 - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16N11S6/2 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Kingston KVR16LS11S6/2 - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 2GB, форм-фактор SODIMM, частота 1600 МГц, пропускная способность 12800 Мб/с.
Transcend TS512MLK72V6H - DDR3 1600 (PC 12800) DIMM 240 pin, 1x4 Гб, ECC, 1.5 В, CL 11
Transcend TS512MSK72W6H - DDR3L 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin, 1x4 Гб, ECC, 1.35 В, CL 11
Transcend TS512MLK64V6H - DDR3 1600 (PC 12800) DIMM 240 pin, 1x4 Гб, 1.5 В, CL 11
Kingston HX318LC11FB/8 - DDR3L 1866 DIMM 240 pin, 1x8 Гб, 1.35 В, CL 11
Kingston HX318LC11FBK2/8 - DDR3L 1866 DIMM 240 pin, 2x4 Гб, 1.35 В, CL 11
Kingston HX318LC11FB/4 - DDR3L 1866 DIMM 240 pin, 1x4 Гб, 1.35 В, CL 11
Kingston KCP316NS8/4 - DDR3 1600 (PC 12800) DIMM 240 pin, 1x4 Гб, 1.5 В, CL 11
Apacer DDR3 1600 SO-DIMM 2Gb - DDR3 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin, 1x2 Гб, 1.5 В, CL 11
1 модуль памяти, объем 4Гб, тип DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11.
1 модуль памяти, SO-DIMM DDR4, 4Гб, 2133МГц, CL 11.
Оперативная память Foxline FL1600LE11-4 - DDR3L 1600 (PC 12800) DIMM 240 pin, 1x4 ГБ, ECC, CL 11
Модуль памяти DDR3 DIMM, объем 4GB, частота 1600MHz, CL11.
Модуль памяти DDR3L DIMM, 8Гб, 1600MHz, ECC Registered, CL11.
1 модуль памяти, DDR3 SO-DIMM, 4Гб, 1600МГц, CL11.
1 модуль памяти DDR3 DIMM, объем 4GB, PC3-12800, частота 1600MHz, CL11.
1 модуль памяти, DDR3 SODIMM, 8Гб, 1600MHz, CL11, 12800 Мб/с.
Доставка товаров из категории "память для компьютера - cl 11" - в городе в Хабаровск от 2х дней. Контакты - Хабаровск » Изменить Город |