|
☰ Все разделы → Комплектующие 3 Память для компьютера - CL 3 в городе Хабаровск➤ Есть скидки по промокоду sidex250: популярные 3 Память для компьютера — купить в городе Хабаровск и других городах России по скидочной цене, без предоплаты, в наличии 1191 шт. Категория: Комплектующие. Доставка в Хабаровск, Москва и другие города России. Перед покупкой воспользуйтесь подбором по параметрам, читайте отзывы, смотрите характеристики. В наличии 1191 шт: 
Qumo DDR 400 DIMM 1Gb - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц
Transcend TS32MSS64V6G - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Samsung DDR2 533 ECC DIMM 1Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
HP 390824-B21 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS64MLD64V4J - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Kingston KVR400X64C3A/256 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Оперативная память Kingston KVR400X72C3A/256 - DDR 400 (PC 3200) DIMM 184 pin, 1x256 МБ, ECC, 2.6 В, CL 3
Оперативная память Kingston KVR400X72C3A/512 - DDR 400 (PC 3200) DIMM 184 pin, 1x512 МБ, ECC, 2.6 В, CL 3
Оперативная память Kingston KVR133X64C3/512 - SDRAM 133 DIMM 168 pin, 1x512 МБ, 3.3 В, CL 3
Оперативная память Transcend TS32MLS64V6D - SDRAM 133 DIMM 168 pin, 1x256 МБ, 3.3 В, CL 3
Оперативная память Transcend TS16MLS72V6W - SDRAM 133 DIMM 168 pin, 1x128 МБ, ECC, 3.3 В, CL 3
Оперативная память Kingston KVR400D2D8R3K2/2G - DDR2 400 (PC2 3200) DIMM 240 pin, 2x1 ГБ, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 3
Оперативная память Lenovo 22P9272 - DDR 400 (PC 3200) DIMM 184 pin, 1x1 ГБ, CL 3
Оперативная память Lenovo 30R5088 - DDR2 400 (PC2 3200) DIMM 240 pin, 2x512 МБ, ECC, 1.8 В, CL 3
Оперативная память Lenovo 39M5858 - DDR2 400 (PC2 3200) DIMM 240 pin, 1x512 МБ, буферизованная, ECC, CL 3
Оперативная память Lenovo 73P5122 - DDR 400 (PC 3200) DIMM 184 pin, 2x2 ГБ, буферизованная, ECC, 2.5 В, CL 3
Оперативная память Lenovo 39M5806 - DDR 400 (PC 3200) DIMM 184 pin, 2x2 ГБ, буферизованная, ECC, CL 3
Lenovo 39M5800 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Оперативная память 256 МБ 1 шт. Kingston KVR400X64C3/256 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 256 МБ, форм-фактор DIMM, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Отзывы о Оперативная память 256 МБ 1 шт. Kingston KVR400X64C3/256 ![378915-005 HP Оперативная память HP 2GB PC3200/400MHz SDRAM [378915-005]](/images_offers/4745/4745000/thumb/378915005_hp_operativnaya_pamyat_hp_2gb_pc3200400mhz_sdram_37891_1.jpg "378915-005 HP Оперативная память HP 2GB PC3200/400MHz SDRAM [378915-005]")
378915-005 HP Оперативная память HP 2GB PC3200/400MHz SDRAM [378915-005] - тип: DDR, объем одного модуля: 2 ГБ, тактовая частота: 400 МГц, Форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 1, CL: 3
Отзывы о 378915-005 HP Оперативная память HP 2GB PC3200/400MHz SDRAM [378915-005] 
Team Group TED12G400HC3DC01 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Team Group TED11G400HC3DC01 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Team Group TED11G400HC301 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Team Group TED1512M400HC301 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Team Group TED12G400C3DC-S01 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Team Group TED11GM400C3-S01 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Team Group TED11G400C3-S01 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Silicon Power SP001GBSDU400O01 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Hynix DDR2 400 Registered ECC DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Crucial CT25672Y40B - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Hynix DDR2 400 Registered ECC DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Mushkin 991493 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 500 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 3
Team Group TSDR512M400C3-E - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Team Group TSDR1024M400C3-E - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Foxline FL400D1S03-1G - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Foxline FL400D1U3-1G - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Patriot Memory PSD21G4002S - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS2GNE120RB - 2 модуля памяти SDRAM, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS2GNE012 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Mushkin 991093i - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS512MSU7045 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS4GT7305 - 4 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS4GNE013 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS4GSI3072 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Samsung DDR2 400 Registered ECC DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS512MCQ467X - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS4GIB4792 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS2GCQ3056 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS8GCQ8106 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS8GIB5145 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS4GCQ9300 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS4GCQ3057 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS4GCQ8200 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS2GCQ1695 - 2 модуля памяти SDRAM, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS4GSU9210 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS4GCQ9083 - 4 модуля памяти SDRAM, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS1GHP152A - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS4GDL670 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS1GSYRZ73 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS4GAC22000 - 4 модуля памяти SDRAM, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS2GDL4113 - 4 модуля памяти SDRAM, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Crucial CT12864X40B - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Silicon Power SP001GBSDU400O02 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS2GIB2866 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Crucial CT6464Z40B - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Crucial CT12864Z40B - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend JM367D643A-5L - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS1GFJ3510 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Lenovo 30R5145 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Lenovo 39M5815 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Lenovo 39M5812 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Lenovo 41Y2765 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Kingston KVR400D2S4R3K2/4G - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS512MQR72V4T - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Kingston KVR400D2D4R3/4G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Patriot Memory PSD5124003 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Hynix DDR2 400 Registered ECC DIMM 1Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Apacer DDR 400 DIMM 1Gb CL3 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Lenovo 39M5821 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Silicon Power SP001GBLDU400O02 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS256MDR72V4L - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Hynix Low Profile DDR2 400 Registered ECC DIMM 1Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Kingston KVR400D2S4R3/2G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Lenovo 73P2866 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS256MQR72V4T - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Patriot Memory PSD1G40016S - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS1GFJ3200 - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS2GFJ630 - 2 модуля памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS1GNE011 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 400 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS512MPA0512U - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор MicroDIMM, 172-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS1GCQ468A - 1 модуль памяти DDR, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 184-контактный, частота 400 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS1GDL4110 - 4 модуля памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Доставка товаров из категории "память для компьютера - cl 3" - в городе в Хабаровск от 2х дней. Контакты - Хабаровск » Изменить Город |
1 557 694 выполненных заказов
Гипермаркет Сайдекс — 21 лет всегда низкие цены!
Buba
30.07.2021
Константин
18.02.2021
Вадим И.
27.02.2020
Алексей Т.
25.02.2020
Николай К.
24.02.2020
Александр М.
23.02.2020
Сидоров
18.02.2020
Александр Л.
17.02.2020
Simf68
15.02.2020
Сидоров
12.02.2020
Сергей Чуманкин
09.02.2020
Анастасия Г.
06.02.2020
Nadejdak1775
05.02.2020
Егор С.
02.02.2020
Олег Х.
01.02.2020
Михаил С.
31.01.2020
александр г.
30.01.2020
Dean Lowrey
30.01.2020
Елена Б.
29.01.2020
Антон К.
27.01.2020
САЙДЕКС © 2003-2024
