|
☰ Все разделы → Комплектующие 4 Память для компьютера - CL 4 в городе Хабаровск➤ Есть скидки по промокоду sidex250: популярные 4 Память для компьютера — купить в городе Хабаровск и других городах России по скидочной цене, без предоплаты, в наличии 840 шт. Категория: Комплектующие. Доставка в Хабаровск, Москва и другие города России. Перед покупкой воспользуйтесь подбором по параметрам, читайте отзывы, смотрите характеристики. В наличии 840 шт: 
Оперативная память Kingston KVR533D2N4/1G - DDR2 533 (PC2 4200) DIMM 240 pin, 1x1 ГБ, 1.8 В, CL 4
Оперативная память Kingston KVR533D2E4K2/2G - DDR2 533 (PC2 4200) DIMM 240 pin, 2x1 ГБ, ECC, 1.8 В, CL 4
Оперативная память Lenovo 30R5148 - DDR2 533 (PC2 4200) DIMM, 1x512 МБ, ECC, CL 4
Оперативная память Kingston KVR533D2N4/2G - DDR2 533 (PC2 4200) DIMM 240 pin, 1x2 ГБ, 1.8 В, CL 4
Оперативная память Kingston KVR533D2D8F4K2/4G - DDR2 533 (PC2 4200) FB-DIMM 240 pin, 2x2 ГБ, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 4
Оперативная память Kingston KVR533D2D8F4/1GI - DDR2 533 (PC2 4200) FB-DIMM 240 pin, 1x1 ГБ, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 4
Оперативная память Qimonda HYS64T32000HU-3.7-A - DDR2 533 (PC2 4200) DIMM 240 pin, 1x256 МБ, 1.8 В, CL 4
Оперативная память Lenovo 41Y2715 - DDR2 533 (PC2 4200) DIMM 240 pin, 2x2 ГБ, буферизованная, ECC, CL 4
Patriot Memory Модуль памяти SO-DIMM DDR3 4Gb Patriot (psd34g160081s) - тип: DDR3, объем одного модуля: 4 ГБ, тактовая частота: 1600 МГц, форм-фактор: SODIMM, CL: 4
Отзывы о Patriot Memory Модуль памяти SO-DIMM DDR3 4Gb Patriot (psd34g160081s) 
Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR2 4Gb HiperX by Kingston KVR533D2S4/4G 533MHz (PC-4200), 204-Pin, CL4, 1.8V, RTL - тип: DDR2, объем одного модуля: 4Гб, тактовая частота: 533 МГц, форм-фактор: SODIMM, количество модулей в комплекте: 1 шт., CL: 4
Transcend TS32MLQ64V5M - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS2GFJRX10 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 4
Silicon Power SP001GBLRU533S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Silicon Power SP002GBLRU533S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Silicon Power SP002GBLRU533S02 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Silicon Power SP001GBLRU533S02 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Crucial CT2KIT25664AC53E - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Team Group TXDD2048M800HC4DC-D - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 4
Team Group TXDD4096M800HC4DC-D - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS128MQR72V5UL - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 4
Mushkin 991784 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Patriot Memory PDC28G6400LLQK - 4 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS512MT6100 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS512MAP239 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS128MSQ64V5U - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS2GHP833A - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS2GIB4973 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS4GAPG5533K - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS4GAPG5533E - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS2GDLAKT - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS2GDL5351 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS2GCQ4200 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS1GSYRA84 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS1GDL5401 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS1GNE017 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS1GNE1100 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS2GCQ3354 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS2GAP241 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Kingston KTH-RX3600K4/16G - 4 модуля памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 4
Kingston KVR533D2S8F4/1G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS2GDL6000A - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Kingston KHX6400D2LLK2/4G - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 4
Kingston KHX6400D2LL/2G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS512MPA0512U5 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор MicroDIMM, 172-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS256MSQ64V5U - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Kingston KVR533D2S4/2G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Kingston KHX6400D2LLK2/2G - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 4
Kingston KHX6400D2LL/1G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS512MAP219 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS1GAPG5533E - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS2GAPG5533K - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS2GAPG5533E - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS1GAPG5533K - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS256MLQ64V5U - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS1GAP240 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS32MSQ64V5M - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 256 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Lenovo 30R5149 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, частота 533 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS1GFJ165 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS512MFJ164 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS512MSYRA60 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS1GSY600 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS512MSY600 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS1GIB3844 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS512MIB3842 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS512MDL3743 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS256MHP830A - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 256 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS512MHP831A - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS1GHP832A - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS1GCQ652A - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS512MCQ654A - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS512MT3412 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS1GDL3748 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS512MCQ4200 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS1GCQ4200 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS512MNEM019 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS512MNE016 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS512MNE1100 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Kingston M12864E40 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
HP PV557AA - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Kingston KTD-INSP6000A/1G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Kingston KHX6000D2/256 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 750 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS512MDL370 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS512MSI620 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS1GIB3215 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS1GSI620 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS1GDL5068 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS512MIB3213 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS512MSI430 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS512MDL5070 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS1GSI430 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS1GDL370 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 4
Transcend TS512MDL5073 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 533 МГц, CAS Latency (CL): 4
Доставка товаров из категории "память для компьютера - cl 4" - в городе в Хабаровск от 2х дней. Контакты - Хабаровск » Изменить Город |
1 557 718 выполненных заказов
Гипермаркет Сайдекс — 21 лет всегда низкие цены!
Buba
30.07.2021
Константин
18.02.2021
Вадим И.
27.02.2020
Алексей Т.
25.02.2020
Николай К.
24.02.2020
Александр М.
23.02.2020
Сидоров
18.02.2020
Александр Л.
17.02.2020
Simf68
15.02.2020
Сидоров
12.02.2020
Сергей Чуманкин
09.02.2020
Анастасия Г.
06.02.2020
Nadejdak1775
05.02.2020
Егор С.
02.02.2020
Олег Х.
01.02.2020
Михаил С.
31.01.2020
александр г.
30.01.2020
Dean Lowrey
30.01.2020
Елена Б.
29.01.2020
Антон К.
27.01.2020
САЙДЕКС © 2003-2024
