|
☰ Все разделы → Комплектующие 28 Память для компьютера - tRAS 28 в городе Хабаровск➤ Есть скидки по промокоду sidex250: популярные 28 Память для компьютера — купить в городе Хабаровск и других городах России по скидочной цене, без предоплаты, в наличии 831 шт. Категория: Комплектующие. Доставка в Хабаровск, Москва и другие города России. Перед покупкой воспользуйтесь подбором по параметрам, читайте отзывы, смотрите характеристики. В наличии 831 шт: 
Corsair CMSO8GX3M1C1600C11 - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Patriot Memory PSD38G1600L2S - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Patriot Memory PSD32G16002 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Patriot Memory PSD38G16002S - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
AMD AE34G1601U1-UO - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 - 1 модуль памяти DDR3L, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
AMD R534G1601U1S-UO - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
2 модуля памяти DDR4,
объем модуля 16 Гб,
форм-фактор DIMM, 288-контактный,
частота 2133 МГц,
радиатор,
CAS Latency (CL): 13.
Patriot Memory PSD34G160081S - DDR3 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin, 1x4 Гб, 1.5 В, CL 11
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11.
1 модуль памяти 4Гб, DDR3L, SODIMM, 1600МГц.
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Память компьютерная, DDR4 2133 (PC 17000) DIMM 288 pin, 2x4 Гб, 1.2 В, CL 13.
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 - DDR4 2133 (PC 17000) DIMM 288 pin, 2x8 Гб, 1.2 В, CL 13
Patriot Memory PSD38G16002 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Patriot Memory PSD34G16002 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
AMD AE38G1601S2-UO - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 - DDR4 2133 (PC 17000) DIMM 288 pin, 4x16 Гб, 1.2 В, CL 13
Geil GEC38GB1600C9DC - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 9
Team Group TED32G1600HC1101 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Team Group TED34GM1600HC1101 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Team Group TED34G1600HC11DC01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Team Group TED38GM1600HC11DC01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Team Group TED38G1600HC1101 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Team Group TED316G1600HC11DC01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
G.SKILL FA-1600C11D-8GSQ - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
G.SKILL FA-1600C11S-4GSQ - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
G.SKILL FA-1600C11S-8GSQ - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
G.SKILL FA-1600C11D-16GSQ - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Team Group TXD34G2133HC9KDC01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2133 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 9
Team Group TXD34G2133HC9NDC01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2133 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 9
Team Group TXD34G2133HC11DC01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2133 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Team Group TXD38G2400HC11DC01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2400 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Team Group TXD38G2133HC9NQC01 - 4 модуля памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2133 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 9
Team Group TXD38G2400HC9NDC01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2400 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 9
Team Group TXD316G2400HC9NQC01 - 4 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2400 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 9
Team Group TXD316G2400HC11QC01 - 4 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2400 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Team Group TXD34G2400HC9NDC01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2400 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 9
Team Group TXD364G2133HC11QCF01 - 8 модулей памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2133 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Team Group TXD332G2133HC11QC01 - 4 модуля памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2133 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Team Group TXD316G2133HC11DC01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2133 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Team Group TXD38G2133HC1101 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2133 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Team Group TXD316G2133HC11QC01 - 4 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2133 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Mushkin 994084 - 4 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2400 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 10
Mushkin 997084 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2400 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 10
Mushkin 992084 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2400 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 10
Mushkin 994083 - 4 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2400 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 10
Mushkin 997083 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2400 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 10
Mushkin 992083 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 2400 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 10
Team Group TDD316G1866HC11QC01 - 4 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1866 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Team Group TDD312GM1866HC11TC01 - 3 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1866 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
G.SKILL F3-1600C11S-4GNS - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
G.SKILL F3-1600C11D-8GNS - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
G.SKILL F3-1866C9Q-32GXM - 4 модуля памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1866 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 9
Team Group TDD38G1866HC11DC01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1866 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Team Group TDD34G1866HC1101 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1866 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
Team Group TDD38G1866HC11QC01 - 4 модуля памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1866 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
G.SKILL F3-1866C9D-16GXM - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1866 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 9
Team Group TDD34G1866HC11DC01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1866 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
GoodRAM GR1600D364L11/8G - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
GoodRAM GR1600D364L11/4G - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
GoodRAM GR1600D364L11/2G - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Mushkin 992034 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Mushkin 992038 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Mushkin 972038A - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Mushkin 977038A - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Mushkin 992034NB - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Mushkin 992034ME - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Mushkin 992066 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 9
Mushkin 997066 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 9
Mushkin 992033NG - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Apacer ARMOR DDR3 1600 DIMM 8GB - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 10
Apacer ARMOR DDR3 1600 DIMM 16GB Kit (8GBx2) - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 10
Apacer Black Panther DDR3 1600 DIMM 8GB - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 10
G.SKILL F3-1600C11D-8GNT - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
G.SKILL F3-1600C11S-4GNT - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
G.SKILL F3-1600C11S-8GNT - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
G.SKILL F3-1600C11D-16GNT - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Team Group TED38G1600C11DC-S01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Team Group TED34GM1600C11-S01 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Team Group TED34G1600C11-S01 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Team Group TED34GM1600C11DC-S01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Team Group TED34G1600C11DC-S01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Team Group TED32GM1600C11-S01 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Team Group TED32G1600C11-S01 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Team Group TED38G1600C11-S01 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Team Group TED38GM1600C11-S01 - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Team Group TED316G1600C11DC-S01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Team Group TED316GM1600C11DC-S01 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Patriot Memory PSD34G160081H - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1600 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 11
G.SKILL F3-1866C9D-16GSR - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1866 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 9
Patriot Memory PSD34G1600L2S - 1 модуль памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Доставка товаров из категории "память для компьютера - tras 28" - в городе в Хабаровск от 2х дней. Контакты - Хабаровск » Изменить Город |
1 557 757 выполненных заказов
Гипермаркет Сайдекс — 21 лет всегда низкие цены!
Buba
30.07.2021
Константин
18.02.2021
Вадим И.
27.02.2020
Алексей Т.
25.02.2020
Николай К.
24.02.2020
Александр М.
23.02.2020
Сидоров
18.02.2020
Александр Л.
17.02.2020
Simf68
15.02.2020
Сидоров
12.02.2020
Сергей Чуманкин
09.02.2020
Анастасия Г.
06.02.2020
Nadejdak1775
05.02.2020
Егор С.
02.02.2020
Олег Х.
01.02.2020
Михаил С.
31.01.2020
александр г.
30.01.2020
Dean Lowrey
30.01.2020
Елена Б.
29.01.2020
Антон К.
27.01.2020
САЙДЕКС © 2003-2024
