|
☰ Все разделы → Комплектующие SDRAM Память для компьютера - Тип SDRAM в городе Хабаровск➤ Есть скидки по промокоду sidex250: популярные SDRAM Память для компьютера — купить в городе Хабаровск и других городах России по скидочной цене, без предоплаты, в наличии 1049 шт. Категория: Комплектующие. Доставка в Хабаровск, Москва и другие города России. Перед покупкой воспользуйтесь подбором по параметрам, читайте отзывы, смотрите характеристики. В наличии 1049 шт:
Transcend TS32MSS64V6G - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Samsung SDRAM 133 SO-DIMM 512Mb - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 133 МГц
HP 317093-B21 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC
HP 328809-B21 - 2 модуля памяти SDRAM, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 100 МГц, поддержка ECC
HP 328807-B21 - 2 модуля памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM
HP 154048-B21 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 128 Мб, форм-фактор DIMM, частота 100 МГц, поддержка ECC
HP D8268A - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, частота 133 МГц, поддержка ECC
HP D7138A - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, частота 100 МГц, поддержка ECC
HP D7157A - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, частота 100 МГц, поддержка ECC
HP 189082-B21 - 4 модуля памяти SDRAM, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, частота 100 МГц, поддержка ECC
HP 328808-B21 - 2 модуля памяти SDRAM, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM
HP 236852-B21 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, частота 133 МГц, поддержка ECC
HP 236854-B21 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, частота 133 МГц, поддержка ECC
Kingston KTH8265/1024 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC
Kingston KTC-EN133/256 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, частота 133 МГц
Оперативная память Kingston KVR100X64SC2/256 - SDRAM 100 SODIMM 144 pin, 1x256 МБ, 3.3 В, CL 2
Оперативная память Kingston KVR133X64C3/512 - SDRAM 133 DIMM 168 pin, 1x512 МБ, 3.3 В, CL 3
Оперативная память Kingston KVR133X64C2/128 - SDRAM 133 DIMM 168 pin, 1x128 МБ, 3.3 В, CL 2
Оперативная память Kingston KVR133X64C2/256 - SDRAM 133 DIMM 168 pin, 1x256 МБ, 3.3 В, CL 2
Оперативная память Kingston KVR100X72C2/128 - SDRAM 100 DIMM 168 pin, 1x128 МБ, ECC, 3.3 В, CL 2
Оперативная память Transcend TS32MLS64V6D - SDRAM 133 DIMM 168 pin, 1x256 МБ, 3.3 В, CL 3
Оперативная память Transcend TS16MLS72V6W - SDRAM 133 DIMM 168 pin, 1x128 МБ, ECC, 3.3 В, CL 3
Оперативная память Samsung SDRAM 133 SO-DIMM 256Mb - SDRAM 133 SODIMM 144 pin, 1x256 МБ
Оперативная память HP AB223A - SDRAM DIMM, 2x1 ГБ
Оперативная память HP 189081-B21 - SDRAM 100 DIMM, 4x256 МБ, буферизованная, ECC
Оперативная память HP D8265A - SDRAM 133 DIMM, 1x128 МБ, ECC
Оперативная память HP D6743A - SDRAM 100 DIMM, 1x256 МБ, ECC
Lenovo 33L3324 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC
Samsung SDRAM 133 Registered ECC DIMM 1Gb - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC
Transcend TS2GNE120RB - 2 модуля памяти SDRAM, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS512MSU7045 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS2GCQ1695 - 2 модуля памяти SDRAM, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS4GCQ9083 - 4 модуля памяти SDRAM, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS4GAC22000 - 4 модуля памяти SDRAM, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS2GDL4113 - 4 модуля памяти SDRAM, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS1GDL4110 - 4 модуля памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS128MHP1622B - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 128 Мб, форм-фактор SODIMM, частота 100 МГц
Transcend TS256MSYR505S - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
HP 313616-B21 - 2 модуля памяти SDRAM, объем модуля 128 Мб, форм-фактор DIMM, частота 100 МГц, поддержка ECC
HP 201693-B21 - 2 модуля памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, частота 133 МГц, поддержка ECC
HP 328806-B21 - 2 модуля памяти SDRAM, объем модуля 128 Мб, форм-фактор DIMM
HP D6098A - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 128 Мб, форм-фактор DIMM, частота 100 МГц, поддержка ECC
HP 371048-B21 - 2 модуля памяти SDRAM, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, частота 333 МГц
HP 201692-B21 - 2 модуля памяти SDRAM, объем модуля 128 Мб, форм-фактор DIMM, частота 133 МГц, поддержка ECC
HP 236853-B21 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, частота 133 МГц, поддержка ECC
HP 201694-B21 - 2 модуля памяти SDRAM, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC
Transcend TS128MNENBS - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 128 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 66 МГц
NCP SDRAM 133 DIMM 256Mb - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц
Samsung SDRAM 133 DIMM 128Mb - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 128 Мб, форм-фактор DIMM, частота 133 МГц
Samsung SDRAM 133 Registered ECC DIMM 256Mb - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, частота 133 МГц, поддержка ECC
Hynix SDRAM 133 DIMM 256Mb - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, частота 133 МГц
Hynix SDRAM 133 DIMM 512Mb - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц
Transcend TS256MT3300 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS64MT3300 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 64 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS64MAPG100 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 64 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS32MCT700G - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 32 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 66 МГц
Transcend TS128MIB3073 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 128 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS128MAC702 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 128 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS128MHP8260 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 128 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS256MDLGX150 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS128MACE510 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 128 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 66 МГц
Transcend TS256MAC7100 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS512MAC740 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 133 МГц
Transcend TS128MAC740 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 128 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS1GCQ6854 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC
Transcend TS128MT3300 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 128 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS512MT9000 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS256MT4600 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS64MSIXPERT - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 64 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS128MSI800 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 128 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 100 МГц, CAS Latency (CL): 2
Transcend TS64MDL0424 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 64 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 100 МГц, CAS Latency (CL): 2
Transcend TS512MDLC610 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS128MDL1412 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 128 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 100 МГц
Transcend TS128MDL0410 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 128 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS256MNEM033 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS256MNE131F - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS128MSY370 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 128 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS64MSY403 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 64 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 100 МГц, CAS Latency (CL): 2
Transcend TS256MSYGR114 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS256MFJC150 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS256MTB3532 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS128MTB3112 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 128 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS512MNE132F - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 100 МГц, CAS Latency (CL): 2
Transcend TS256MNEMM133 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS1GNE120RB - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS512MNE152F - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 512 Мб, форм-фактор DIMM, 168-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS512MNEMM133 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS64MTWEF50 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 64 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 100 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS128MTW5A00 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 128 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS128MTWEF50 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 128 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 100 МГц, CAS Latency (CL): 2
Transcend TS256MAC740 - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Transcend TS256MHP1654C - 1 модуль памяти SDRAM, объем модуля 256 Мб, форм-фактор SODIMM, 144-контактный, частота 133 МГц, CAS Latency (CL): 3
Доставка товаров из категории "память для компьютера - тип sdram" - в городе в Хабаровск от 2х дней. Контакты - Хабаровск » Изменить Город |